120G固态硬盘性价比最高推荐?固态硬盘价格多少钱?
固态硬盘已经成为了装机必需配件之一。下面小编为大家介绍120G固态硬盘性价比最高推荐?固态硬盘价格多少钱?
120G固态硬盘性价比最高推荐
英特尔520系列 120GB固态硬盘
特尔固态硬盘520可提供高达80,000次的4K随机写入IOPS(每秒输入输出操作)性能以及高达50,000次的4K随机读取IOPS性能,可显著提高日常运作速度。分别高达每秒550MB和每秒520MB的顺序读取和顺序写入性能也显著加快和改善了用户的工作效率。
英特尔固态硬盘520固态硬盘在接口上依然为标准的SATA接口设计,但升级支持6Gbps SATAIII标准,配合超过500MB/s的读写速度,几乎能达到最大的峰值。
OCZ Agility3 120GB固态硬盘
OCZ针对主流玩家们推出的采用SandForce第2代主控方案产品——OCZ Agility 3系列固态硬盘,其和Vertex3一样都采用了SandForce SF-2281主控芯片设计,同样拥有较为不错的传输性能,但是在价格上更贴近主流玩家用户。
OCZ Agility 3系列固态硬盘有60GB/120GB/240GB三种容量供用户选择,外包装上,OCZ Agility 3 SATA III(AGT3-25SAT3-60G)固态硬盘采用的也跟Vertex 3系列不太相同,以黑色和绿色为主。产品在接口上升级为了拥有更高带宽的SATA 6Gbps接口。
OCZ Agility 3 SATA III(AGT3-25SAT3-60G)固态硬盘供电为5V 0.35A,通过了CE、FCC、RoHS等多项认证,产地是台湾。固态硬盘由PCB板正反两面共8颗闪存颗粒+1颗控制芯片组成,每面PCB还空有4个闪存颗粒位置,相信120GB版本内部会装满闪存颗粒。采用的SandForce第2代主控方案SF-2000系列,具体型号为:SF-2281VB1-SDC,采用400针TFBGA封装,尺寸为14×14毫米。
镁光M4 128GB固态硬盘
镁光M4系列固态硬盘128GB支持SATA 6Gbps接口,规格大小为2.5英寸,搭载25nm MLC NAND闪存芯片,平均故障间隔时间(MTBF)为120万小时。
镁光M4系列固态硬盘128GB固态硬盘的4KB随机读写性能最高分别达40000 IOPS,读取速度最高为415MB/s,写入方面则可达到260MB/s,表现令人较为满意。
镁光M4系列固态硬盘128GB固态硬盘的读取速度是传统机械硬盘的4倍以上,此外它还具有架构牢固、防震防摔、静音、发热量小等特点,非常适合做系统盘以及英特尔新一代固态硬盘缓存技术的缓存盘。
三星830系列128GB固态硬盘
三星830系列固态硬盘是三星第一款SATA3.0 6Gbps速率的固态硬盘。三星研发出独创的3核MCX控制器,更擅长多任务处理,并能随时保持稳定性能。凭借ARM9控制器,三个CPU内核可同时执行 多个命令。例如一个用于读取数据,一个用于写入数据,一个用于优化处理。
三星 MZ-7PC128D/CN采用三星的20纳米级Toggle DDR NAND 闪存芯片,使数据转移率高达133百万字节/秒,超过常规单核NAND闪存芯片速度的三倍。 DRAM高速缓存拥有256MB内存,即使是在存储范围增加的情况下,也可确保稳定的随机读取功能。
总结:
以上四款SSD固态硬盘均是市场上的热销产品,目前128GB SSD市场销量逐步上升,随着价格的下滑稍大容量产品也开始被用户认可。
固态硬盘价格多少钱
这一年来固态硬盘与内存的价格都在狂涨,过去已经基本达到白菜价的内存价格涨了一倍不止,而250GB固态硬盘价格也涨了两百元左右的价位了,其原因之前笔者就已经分析过,最直接最主要的因素就是因DRAM颗粒与NAND颗粒的需求紧缺,供求平衡被打破,上游的颗粒厂商抬高DRAM颗粒与NAND颗粒的价格,以致于之前处于价格低俗的内存与SSD开始上涨。而这种情况从上个月开始有了一些变化,直线上调的价格出现了一些回调。
这一个月有不少关注硬件价格的朋友问我是不是出现了价格拐点,是否可以等待内存硬盘的继续下跌再出手。在这里笔者只能说,这一个月出现的价格拐点并不是闪存与内存价格下跌的信号,笔者了解了一下闪存与内存颗粒上游的价格,发现并没有什么变化,市场上出现成品价格的波动,笔者认为应该只是一季度本身的销量淡季造成了自然下跌,商家为了促进购买成交量的行为。
进入2017年,从数据上看到,装机市场由于硬件的集体涨价而出现了增长放缓,消费者集体观望的情况,因此一季度的销售淡季情况比较明显,此次商家降价的原因应该主要是为了保证资金不出现滞留的情况才做得应对。
有分析师称,预计今年上半年价格会偏平缓,而第二季将面临价格调整,刺激终端消费者买气回温,等到下半年进入新品出货旺季的时候可以让销售量上扬。
对于固态硬盘与内存的真正价格拐点来临时间,Gartner预测会是在2018年,价格将出现明显回落,并于2019年重新陷入一个相对“冰点”。
至于闪存芯片价格出现下降的原因,Gartner分析认为中国起到了关键作用,中国一直在扩大半导体产能规模,而大量Made In China闪存芯片涌入市场之后,势必会缓解国内供不应求的关系,价格下降也就成了必然。
另外三星电子位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂将从7月份开始运营。这是全球规模最大的芯片工厂,这座工厂将主要用来量产三星第四代3D NAND闪存芯片,垂直堆叠达到64层,月产能将达45万块晶圆,3D闪存占一半以上。相信当这家工厂达到最高产能的最高时候一定也会帮助缓解供求关系。